首页 > 商品目录 > > > > IRLR3410TRPBF代替型号比较

IRLR3410TRPBF  与  IRLR3410TRRPBF  区别

型号 IRLR3410TRPBF IRLR3410TRRPBF
唯样编号 A33-IRLR3410TRPBF A-IRLR3410TRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 52 W 34 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 1,332 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥7.6851
50+ :  ¥5.9124
100+ :  ¥5.3183
500+ :  ¥4.9254
1,000+ :  ¥4.8392
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥7.6851 

阶梯数 价格
20: ¥7.6851
50: ¥5.9124
100: ¥5.3183
500: ¥4.9254
1,000: ¥4.8392
1,332 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
959 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售