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IRLML6346TRPBF  与  DMN3112S-7  区别

型号 IRLML6346TRPBF DMN3112S-7
唯样编号 A33-IRLML6346TRPBF A3-DMN3112S-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V 57mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.4W(Ta)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 5.8A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V 268pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC -
库存与单价
库存 5,500 5,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥1.1499
500+ :  ¥1.1499
1,000+ :  ¥1.1212
4,000+ :  ¥1.0939
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1499
1,000: ¥1.1212
4,000: ¥1.0939
5,500 当前型号
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100: ¥0.5395
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100: ¥0.5511
200: ¥0.4199
1,500: ¥0.3653
3,000: ¥0.3237
11,976 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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