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IRLML6346TRPBF  与  DMG3402L-7  区别

型号 IRLML6346TRPBF DMG3402L-7
唯样编号 A33-IRLML6346TRPBF A3-DMG3402L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 464 pF @ 15 V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.7 nC @ 10 V
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 4A(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
驱动电压 - 2.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC -
库存与单价
库存 5,500 42,500
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥1.1404
500+ :  ¥1.1212
1,000+ :  ¥1.1116
2,000+ :  ¥1.0829
4,000+ :  ¥1.0637
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1404 

阶梯数 价格
140: ¥1.1404
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.1116
2,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.0637
5,500 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
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SOT-23-3

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阶梯数 价格
80: ¥0.6396
200: ¥0.4134
1,500: ¥0.3588
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