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IRFZ34NPBF  与  AUIRFZ34N  区别

型号 IRFZ34NPBF AUIRFZ34N
唯样编号 A33-IRFZ34NPBF-0 A-AUIRFZ34N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@16A,10V 40mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 29A 29A
长度 - 10.75mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V 700pF @ 25V
高度 - 16.13mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 31 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) 68W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 7 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V 34nC @ 10V
库存与单价
库存 1,892 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥3.4497
100+ :  ¥3.3539
500+ :  ¥3.3539
1,000+ :  ¥3.2581
暂无价格
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