| 制造商编号 | AUIRFZ34N |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-AUIRFZ34N |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 700pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 29A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Pd-功率耗散(Max) | 68W | |
| 高度 | 16.13mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 长度 | 10.75mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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