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RS6R060BHTB1  与  FDS86242  区别

型号 RS6R060BHTB1 FDS86242
唯样编号 A32-RS6R060BHTB1 A36-FDS86242
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 150 V 2.5 W 13 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.8mΩ@60A,10V 67m Ohms@4.1A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta),5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
连续漏极电流Id 60A 4.1A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 100 2,460
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥14.421
25+ :  ¥13.3529
100+ :  ¥12.3639
20+ :  ¥3.663
100+ :  ¥2.827
1,250+ :  ¥2.453
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥14.421 

阶梯数 价格
1: ¥14.421
25: ¥13.3529
100: ¥12.3639
100 当前型号
IRF7451 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
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SO8

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IRF7815 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 67,479 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,250: ¥2.453
2,460 对比

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