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RS6R060BHTB1  与  IRF7465  区别

型号 RS6R060BHTB1 IRF7465
唯样编号 A32-RS6R060BHTB1 A-IRF7465
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.8mΩ@60A,10V 280mΩ@1.14A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO8
连续漏极电流Id 60A 1.9A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥14.421
25+ :  ¥13.3529
100+ :  ¥12.3639
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥14.421 

阶梯数 价格
1: ¥14.421
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100: ¥12.3639
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¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,250: ¥2.453
2,460 对比

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