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MUN5215T1G  与  DTC114EUAT106  区别

型号 MUN5215T1G DTC114EUAT106
唯样编号 A32-MUN5215T1G A36-DTC114EUAT106
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 DTC114EUA Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-70
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率 0.202W -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
工作温度 - -55℃~150℃
Power-Max 202mW -
晶体管类型 - NPN
R1 - 10K Ohms
R2 - 10K Ohms
功率耗散Pd - 200mW
特征频率fT - 250MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 50mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 30
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 3,000 6,899
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.137
25+ :  ¥0.1182
100+ :  ¥0.1017
1,000+ :  ¥0.0876
3,000+ :  ¥0.0756
90+ :  ¥0.605
200+ :  ¥0.2745
1,500+ :  ¥0.1725
3,000+ :  ¥0.1187
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5215T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SC-70,SOT-323

¥0.137 

阶梯数 价格
1: ¥0.137
25: ¥0.1182
100: ¥0.1017
1,000: ¥0.0876
3,000: ¥0.0756
3,000 当前型号
PDTC143EU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC143EU_SOT-323

¥0.1425 

阶梯数 价格
560: ¥0.1425
1,000: ¥0.1105
1,500: ¥0.0906
3,000: ¥0.0788
200,003 对比
PDTC114EU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC114EU_SOT-323

¥0.2445 

阶梯数 价格
210: ¥0.2445
1,500: ¥0.153
3,000: ¥0.1052
48,672 对比
PDTC143XU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC143XU_SOT-323

¥0.1924 

阶梯数 价格
10: ¥0.1924
100: ¥0.1425
1,000: ¥0.1105
1,500: ¥0.0906
3,000: ¥0.0788
31,840 对比
DTC114EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.605 

阶梯数 价格
90: ¥0.605
200: ¥0.2745
1,500: ¥0.1725
3,000: ¥0.1187
6,899 对比
DTC114TU3HZGT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.5876 

阶梯数 价格
260: ¥0.5876
500: ¥0.4819
1,000: ¥0.4114
2,000: ¥0.3526
4,000: ¥0.3409
5,850 对比

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