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MUN5215T1G  与  PDTC143EU,115  区别

型号 MUN5215T1G PDTC143EU,115
唯样编号 A32-MUN5215T1G A-PDTC143EU,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 PDTC143E Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率 0.202W -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
VCBO - 50V
工作温度 - -65℃~150℃
VEBO - 10V
Power-Max 202mW -
晶体管类型 - NPN
功率耗散Pd - 200mW
特征频率fT - 230MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极-射极饱和电压 - 150mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
尺寸 - 2*1.25*0.95
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 30
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 3,000 200,003
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥0.137
25+ :  ¥0.1182
100+ :  ¥0.1017
1,000+ :  ¥0.0876
3,000+ :  ¥0.0756
560+ :  ¥0.1425
1,000+ :  ¥0.1105
1,500+ :  ¥0.0906
3,000+ :  ¥0.0788
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5215T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SC-70,SOT-323

¥0.137 

阶梯数 价格
1: ¥0.137
25: ¥0.1182
100: ¥0.1017
1,000: ¥0.0876
3,000: ¥0.0756
3,000 当前型号
PDTC143EU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC143EU_SOT-323

¥0.1425 

阶梯数 价格
560: ¥0.1425
1,000: ¥0.1105
1,500: ¥0.0906
3,000: ¥0.0788
200,003 对比
PDTC114EU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC114EU_SOT-323

¥0.231 

阶梯数 价格
220: ¥0.231
1,500: ¥0.1437
3,000: ¥0.0992
42,672 对比
DTC114EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.605 

阶梯数 价格
90: ¥0.605
200: ¥0.2745
1,500: ¥0.1725
3,000: ¥0.1187
36,899 对比
PDTC143XU,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC143XU_SOT-323

¥0.1924 

阶梯数 价格
10: ¥0.1924
100: ¥0.1425
1,000: ¥0.1105
1,500: ¥0.0906
3,000: ¥0.0788
31,840 对比
DTC144TUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.6314 

阶梯数 价格
80: ¥0.6314
200: ¥0.2865
1,500: ¥0.18
3,000: ¥0.1238
17,884 对比

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