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FDV301N  与  DMG301NU-13  区别

型号 FDV301N DMG301NU-13
唯样编号 A32-FDV301N-2 A-DMG301NU-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 350mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -
漏源极电压Vds 25V 25V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 320mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4Ω@400mA,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 27.9 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V 8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.36 nC @ 4.5 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 220mA(Ta) 260mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250µA -
驱动电压 - 2.7V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.227
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDV301N ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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阶梯数 价格
1: ¥0.227
1 当前型号
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140: ¥0.3796
200: ¥0.2835
1,500: ¥0.246
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