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小信号MOSFET   SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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制造商编号 FDV301N
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-FDV301N-2
供货
无铅情况/RoHs
描述
栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4Ω@400mA,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 25V
连续漏极电流Id 0.5A
连续漏极电流Id 220mA(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V
功率 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4 欧姆 @ 400mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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起订量:1 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  1704

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