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FDS6680A  与  RXH125N03TB1  区别

型号 FDS6680A RXH125N03TB1
唯样编号 A32-FDS6680A-1 A33-RXH125N03TB1-0
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5m Ohms@12.5A,10V 12mΩ@12.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12.5A 12.5A(Ta)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1000pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.7nC @ 5V
库存与单价
库存 40 2,452
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥0.6178
25+ :  ¥0.5325
30+ :  ¥6.6119
50+ :  ¥3.718
100+ :  ¥3.5264
500+ :  ¥3.2868
1,000+ :  ¥3.1718
2,000+ :  ¥2.9514
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
40 当前型号
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
2,452 对比
NTMS4816NR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
72 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
48 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
40 当前型号

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