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FDS6670A  与  IRF7821TRPBF  区别

型号 FDS6670A IRF7821TRPBF
唯样编号 A32-FDS6670A A36-IRF7821TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8m Ohms@13A,10V 9.1mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 13A 13.6A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~155°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2220pF @ 15V 1010pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 5V 14nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1010pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 500 1
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥3.6646
25+ :  ¥3.1592
100+ :  ¥2.7234
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥3.6646 

阶梯数 价格
1: ¥3.6646
25: ¥3.1592
100: ¥2.7234
500 当前型号
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
73 对比
NTMS4816NR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
72 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比
IRF7458TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
12 对比
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 1 对比

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