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FDS6670A  与  IRF7458TRPBF  区别

型号 FDS6670A IRF7458TRPBF
唯样编号 A32-FDS6670A-1 A36-IRF7458TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8m Ohms@13A,10V 8mΩ@14A,16V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 13A 14A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2220pF @ 15V 2410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 5V 59nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,16V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2410pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 15,000 12
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
2,500+ :  ¥2.024
5,000+ :  ¥1.862
10,000+ :  ¥1.7129
8+ :  ¥6.391
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥2.024 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.024
5,000: ¥1.862
10,000: ¥1.7129
15,000 当前型号
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
73 对比
NTMS4816NR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
72 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比
IRF7458TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
12 对比
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 1 对比

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