首页 > 商品目录 > > > > STP100N10F7代替型号比较

STP100N10F7  与  TK46E08N1,S1X  区别

型号 STP100N10F7 TK46E08N1,S1X
唯样编号 A3-STP100N10F7 A-TK46E08N1,S1X
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A TO-220 MOSFET N-CH 80V 80A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 80 V
Pd-功率耗散(Max) - 103W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.4 毫欧 @ 23A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500 pF @ 40 V
Vgs(th) - 4V @ 500uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220 TO-220
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 1,000 当前型号
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
AOT2918L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
TK46E08N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
AOT418L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售