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STP100N10F7  与  IPP072N10N3GXKSA1  区别

型号 STP100N10F7 IPP072N10N3GXKSA1
唯样编号 A3-STP100N10F7 A-IPP072N10N3GXKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A TO-220 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4910pF @ 50V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 90uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.2 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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