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STD60NF55LT4  与  IRLR3705ZTRPBF  区别

型号 STD60NF55LT4 IRLR3705ZTRPBF
唯样编号 A3-STD60NF55LT4 A36-IRLR3705ZTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 60A DPAK Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC 130 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 130W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 89A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 5V
库存与单价
库存 0 3,099
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.862
100+ :  ¥4.048
1,000+ :  ¥3.674
2,000+ :  ¥3.41
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
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¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
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阶梯数 价格
10: ¥10.9719
100: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
2,299 对比
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20: ¥3.311
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¥3.377 

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20: ¥3.377
100: ¥2.596
304 对比

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