首页 > 商品目录 > > > > STD60NF55LT4代替型号比较

STD60NF55LT4  与  IRLR2905ZTRPBF  区别

型号 STD60NF55LT4 IRLR2905ZTRPBF
唯样编号 A3-STD60NF55LT4 A36-IRLR2905ZTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@36A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 60A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1570pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1570pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC
库存与单价
库存 0 742
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
13,000 对比
IRLR3705ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥4.862 

阶梯数 价格
20: ¥4.862
100: ¥4.048
1,000: ¥3.674
2,000: ¥3.41
3,099 对比
BUK7212-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7212-55B_SOT428

¥10.9719 

阶梯数 价格
10: ¥10.9719
100: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
2,299 对比
IRLR2905ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
742 对比
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.377 

阶梯数 价格
20: ¥3.377
100: ¥2.596
304 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售