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STD3NK60ZT4  与  IPD80R3K3P7  区别

型号 STD3NK60ZT4 IPD80R3K3P7
唯样编号 A3-STD3NK60ZT4 A-IPD80R3K3P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.2A,10V 3300mΩ
漏源极电压Vds 600V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - price/performance
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.5nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.4A 1.9A
RthJC max - 7.1 K/W
系列 SuperMESH™ -
QG (typ @10V) - 5.8 nC
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
Ptot max - 18.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 311pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.22
库存与单价
库存 32,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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