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STD3NK60ZT4  与  IPD80R2K8CE  区别

型号 STD3NK60ZT4 IPD80R2K8CE
唯样编号 A3-STD3NK60ZT4 A-IPD80R2K8CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.2A,10V 2800mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs ±30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - price/performance
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.4A 1.9A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 12.0 nC
Ptot max - 42.0W
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 18ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.29
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 42W
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - SMT
RthJC max - 3.0 K/W
系列 SuperMESH™ CoolMOSCE
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 311pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.8nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 25ns
库存与单价
库存 32,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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