首页 > 商品目录 > > > > RSJ650N10TL代替型号比较

RSJ650N10TL  与  IRLS4030TRLPBF  区别

型号 RSJ650N10TL IRLS4030TRLPBF
唯样编号 A3-RSJ650N10TL A-IRLS4030TRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@32.5A,10V 4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 370W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 65A 180A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 RSJ650N10 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55℃~150℃

暂无价格 100 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@10V

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
BUK9611-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9611-80E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 80V 75A

¥9.1806 

阶梯数 价格
210: ¥9.1806
400: ¥7.7802
800: ¥7.1378
0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消