| 制造商编号 | IRLS4030TRLPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRLS4030TRLPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±16V Pd-功率耗散(Max)：370W(Tc) 工作温度：-55°C~175°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：4.3mΩ@110A,10V FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@110A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 180A | |
| 封装/外壳 | D2PAK |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥45.4704
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998 | 对比 | ||||||||||
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 |
￥14.6939
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749 | 对比 | ||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥26.8595
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470 | 对比 | ||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥26.8595
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83 | 对比 |
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