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RQ3E180AJTB  与  DMN3008SFG-7  区别

型号 RQ3E180AJTB DMN3008SFG-7
唯样编号 A3-RQ3E180AJTB A36-DMN3008SFG-7-1
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3690 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 86 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 17.6A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 1,823
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.7028
100+ :  ¥1.3068
1,000+ :  ¥1.089
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