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RQ3E180AJTB  与  AON7516  区别

型号 RQ3E180AJTB AON7516
唯样编号 A3-RQ3E180AJTB A36-AON7516-1
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V 4.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6.8mΩ
Qgd(nC) - 5.5
栅极电压Vgs ±12V 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 30A
工作温度 -55℃~150℃ -
Ciss(pF) - 1229
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) 25W
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 100 23,786
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.2969
100+ :  ¥0.9999
1,250+ :  ¥0.8316
2,500+ :  ¥0.7554
5,000+ :  ¥0.693
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40: ¥1.2969
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1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
23,786 对比
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1: ¥2.5128
100: ¥2
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30: ¥1.892
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2,000 对比
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¥1.7028 

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30: ¥1.7028
100: ¥1.3068
1,000: ¥1.089
1,823 对比
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比

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