首页 > 商品目录 > > > > RQ3E130BNTB代替型号比较

RQ3E130BNTB  与  AON6368  区别

型号 RQ3E130BNTB AON6368
唯样编号 A3-RQ3E130BNTB A-AON6368
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 40
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 6.1mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 9.5mΩ
Qgd(nC) - 2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 6.5
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 13A(Ta) 52A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 820
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 27W
Qrr(nC) - 19
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
Coss(pF) - 340
Qg*(nC) - 6.1
库存与单价
库存 226 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.5385
100+ :  ¥2.0204
1,000+ :  ¥1.4559
1,500+ :  ¥1.2532
3,000+ :  ¥0.99
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 226 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
IRFH3702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
AON7466 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
NVTFS4C10NTAG ON Semiconductor  数据手册 车规

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售