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RH6P040BHTB1  与  IRFHM3911  区别

型号 RH6P040BHTB1 IRFHM3911
唯样编号 A3-RH6P040BHTB1 A-IRFHM3911
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 115mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.8W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 5.4nC
封装/外壳 HSMT8 PQFN 3.3 x 3.3 B
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 40A 11A
工作温度 -55°C~150°C -
Ptot max - 29.0W
QG - 17.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.17
RthJC max - 4.3K/W
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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