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RH6P040BHTB1  与  BSZ146N10LS5  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ146N10LS5
唯样编号 A3-RH6P040BHTB1 A-BSZ146N10LS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 20.8mΩ
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
Ciss - 1000.0pF
Coss - 170.0pF
栅极电压Vgs ±20V 1.1V,2.3V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.8nC
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 HSMT8 -
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 40A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55.0°C
Ptot max - 52.0W
QG - 7.6nC
Budgetary Price €€/1k - 0.4
RthJC max - 2.4K/W
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

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