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R6030MNX  与  STF26NM60N  区别

型号 R6030MNX STF26NM60N
唯样编号 A3-R6030MNX A-STF26NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@15A,10V 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 35W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A(Tc) 20A
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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