首页 > 商品目录 > > > > DMP2004DWK-7代替型号比较

DMP2004DWK-7  与  NTJD4152PT1G  区别

型号 DMP2004DWK-7 NTJD4152PT1G
唯样编号 A3-DMP2004DWK-7 A36-NTJD4152PT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -65°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 0.43A -0.88A
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@430mA,4.5V 260mΩ@880mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 175pF @ 16V -
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 250mW 272mW
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 1,878
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.177
200+ :  ¥0.902
1,500+ :  ¥0.7843
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363

暂无价格 6,000 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.902
1,500: ¥0.7843
1,878 对比
BSD223PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSD223P H6327_6-VSSOP,SC-88,SOT-363

暂无价格 0 对比
BSD223P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD223PH6327XTSA1_2.00mm

暂无价格 0 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售