制造商编号 | DMP2004DWK-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A3-DMP2004DWK-7 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@430mA,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 175pF @ 16V | |
Pd-功率耗散(Max) | 250mW | |
工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-363 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 0.43A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,000 |
DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
LSI1012XT1G | 14,600 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 |
¥1.177
|
1,878 | 对比 | |||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSD223P H6327_6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
BSD223P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSD223PH6327XTSA1_2.00mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 |