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DMN3150L-7  与  RTR025N03TL  区别

型号 DMN3150L-7 RTR025N03TL
唯样编号 A3-DMN3150L-7 A-RTR025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3 mm 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@3.6A,4.5V 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 3.49 ns 15 ns
漏源极电压Vds 28V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 15.02 ns 25 ns
栅极电压Vgs ±12V 12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 2.5A
系列 DMN RTR
配置 Single Single
通道数量 1 Channel 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA 1.5V @ 1mA
长度 2.9 mm 2.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V 220pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
典型接通延迟时间 1.14 ns 9 ns
下降时间 - 10 ns
高度 1 mm 0.85 mm
库存与单价
库存 48,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 当前型号
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 4 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

暂无价格 3 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比
PMV100ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV100ENEA_SOT23

¥1.1669 

阶梯数 价格
580: ¥1.1669
1,000: ¥0.9046
1,500: ¥0.7415
3,000: ¥0.668
0 对比

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