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DMN3051L-7  与  RTR025N03TL  区别

型号 DMN3051L-7 RTR025N03TL
唯样编号 A3-DMN3051L-7 A36-RTR025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 38mΩ@5.8A,10V 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 2.5A
系列 - RTR
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 424pF @ 5V 220pF @ 10V
长度 - 2.9 mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
典型接通延迟时间 - 9 ns
高度 - 0.85 mm
库存与单价
库存 35,000 4
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 35,000 当前型号
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
5,178 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
200: ¥0.9537
1,500: ¥0.8294
2,692 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23

¥1.4522 

阶梯数 价格
10: ¥1.4522
100: ¥1.0757
1,000: ¥0.8339
1,500: ¥0.6835
3,000: ¥0.6158
39 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 4 对比

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