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DMN3033LSD-13  与  FDS6990AS  区别

型号 DMN3033LSD-13 FDS6990AS
唯样编号 A3-DMN3033LSD-13 A32-FDS6990AS
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 9/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 900mW
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
FET类型 2N-Channel 逻辑电平门
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 7.5A
系列 - PowerTrench®,SyncFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 550pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 550pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
库存与单价
库存 2,500 20
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.12
2+ :  ¥2.0352
4+ :  ¥1.9537
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥2.12
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