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DMG3418L-7  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 DMG3418L-7 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A3-DMG3418L-7 A33-IRLML6346TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@4A,10V 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 3.4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 464.3pF @ 15V 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 24,000 5,500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
140+ :  ¥1.1404
500+ :  ¥1.1212
1,000+ :  ¥1.1116
2,000+ :  ¥1.0829
4,000+ :  ¥1.0637
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOT-23

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SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
15,263 对比
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SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,542 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
3,000: ¥0.88
8,000 对比
AO3434A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
5,541 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1404 

阶梯数 价格
140: ¥1.1404
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.1116
2,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.0637
5,500 对比

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