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DMG3402L-7  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 DMG3402L-7 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A3-DMG3402L-7 A36-IRLML6346TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 464 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) 3.4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
驱动电压 2.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 42,500 4,677
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7326
200+ :  ¥0.5967
1,500+ :  ¥0.5421
3,000+ :  ¥0.507
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
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¥1.1404 

阶梯数 价格
140: ¥1.1404
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.1116
2,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.0637
5,500 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
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