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AO4828  与  IRF7341TRPBF  区别

型号 AO4828 IRF7341TRPBF
唯样编号 A3-AO4828 A-IRF7341TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 25 -
Td(off)(ns) 15.7 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 56mΩ@4.5A,10V 50mΩ@4.7A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Rds On(Max)@4.5V 77mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 32 -
VGS(th) 3 -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 4.7 -
封装/外壳 SO-8 SOIC
连续漏极电流Id 4.5A 4.7A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 450 -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
Trr(ns) 27.5 -
Coss(pF) 60 -
Qg*(nC) 4.3 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
1,250: ¥1.276
2,500: ¥1.21
2,625 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 车规

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
46 对比
IRF7341PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7341 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比

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