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ZXMN3F30FHTA  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 ZXMN3F30FHTA IRLML9301TRPBF
唯样编号 A-ZXMN3F30FHTA A33-IRLML9301TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 64mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 47mΩ@3.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 318 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A(Ta) 3.6A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 5,982
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥1.8303
100+ :  ¥1.5428
500+ :  ¥1.3512
1,000+ :  ¥1.3512
2,000+ :  ¥1.3416
4,000+ :  ¥1.332
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
39,227 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
15,263 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.8303 

阶梯数 价格
90: ¥1.8303
100: ¥1.5428
500: ¥1.3512
1,000: ¥1.3512
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.332
5,982 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1404 

阶梯数 价格
140: ¥1.1404
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.1116
2,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.0637
5,500 对比
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
5,178 对比

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