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XP152A11E5MR-G  与  IRLML6302TRPBF  区别

型号 XP152A11E5MR-G IRLML6302TRPBF
唯样编号 A-XP152A11E5MR-G A-IRLML6302TRPBF
制造商 Torex Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ@610mA,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 250 毫欧 @ 400mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.78A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 97pF @ 15V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.6nC @ 4.45V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 700mA(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 10V 97pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.6nC @ 4.45V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23

暂无价格 0 当前型号
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
872 对比
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23

¥0.964 

阶梯数 价格
580: ¥0.964
1,000: ¥0.7473
1,500: ¥0.6125
3,000: ¥0.5518
0 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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