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通用MOSFET   Micro3™/SOT-23

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制造商编号 IRLML6302TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRLML6302TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V
栅极电压Vgs ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@610mA,4.5V
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 0.78A
封装/外壳 Micro3™/SOT-23
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Micro3™/SOT-23

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PMV65XP_SOT23

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Micro3™/SOT-23

¥0.8652 

阶梯数 价格
180: ¥0.8652
500: ¥0.8552
1,000: ¥0.8353
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¥0.6204 

阶梯数 价格
90: ¥0.6204
200: ¥0.4732
1,500: ¥0.4108
3,000: ¥0.364
3,893 对比
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