| 制造商编号 | IRLML6302TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRLML6302TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.6nC @ 4.45V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 97pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.6nC @ 4.45V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 97pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@610mA,4.5V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 0.78A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML6302TRPBF | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT23 |
￥0.3926
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37,212 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.7876
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27,633 | 对比 | ||||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65XP_SOT23 |
￥0.6677
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15,390 | 对比 | ||||||||||||
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AO3423 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
￥0.6204
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3,693 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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