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UMT1NTN  与  BC857BDW1T1G  区别

型号 UMT1NTN BC857BDW1T1G
唯样编号 A-UMT1NTN A36-BC857BDW1T1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 15nA(ICBO)
电流 - 集电极截止(最大值) - 15nA(ICBO)
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 220 @ 2mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 650mV @ 5mA,100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 45V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
VCBO -60V -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
VEBO -6V -
频率 - 跃迁 - 100MHz
晶体管类型 PNP -
功率耗散Pd 150mW -
特征频率fT 140MHz -
集电极-射极饱和电压 -500mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 650mV @ 5mA,100mA
FET类型 - P-Channel
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 220 @ 2mA,5V
频率-跃迁 - 100MHz
集电极_发射极击穿电压VCEO - 45V
集电极连续电流 -150mA -
集电极最大允许电流Ic - 0.1A
直流电流增益hFE 120 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
库存与单价
库存 8,694 24,354
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.9954
100+ :  ¥0.5315
3,000+ :  ¥0.3843
120+ :  ¥0.4316
200+ :  ¥0.2795
1,500+ :  ¥0.279
3,000+ :  ¥0.2475
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UMT1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.9954 

阶梯数 价格
1: ¥0.9954
100: ¥0.5315
3,000: ¥0.3843
8,694 当前型号
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
24,354 对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

¥0.3744 

阶梯数 价格
140: ¥0.3744
200: ¥0.2775
1,500: ¥0.243
2,045 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.222 

阶梯数 价格
1: ¥0.222
25: ¥0.1914
100: ¥0.1649
1,000: ¥0.1421
1,900 对比
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba  数据手册 三极管/双极型晶体管

SM6

暂无价格 0 对比
HN1A01FU-GR,LF Toshiba  数据手册 三极管/双极型晶体管

US6

暂无价格 0 对比

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