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UMT1NTN  与  HN1A01F-Y(TE85L,F)  区别

型号 UMT1NTN HN1A01F-Y(TE85L,F)
唯样编号 A-UMT1NTN A-HN1A01F-Y(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 三极管/双极型晶体管
描述 UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 300mW
特征频率fT 140MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 10mA,100mA
集电极-射极饱和电压 -500mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 150mA
封装/外壳 SOT-363 SM6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO -60V -
工作温度 -55℃~150℃ 125°C(TJ)
频率-跃迁 - 80MHz
VEBO -6V -
集电极连续电流 -150mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 2mA,6V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 120 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP 2 PNP(双)
库存与单价
库存 8,694 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.9954
100+ :  ¥0.5315
3,000+ :  ¥0.3843
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UMT1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.9954 

阶梯数 价格
1: ¥0.9954
100: ¥0.5315
3,000: ¥0.3843
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¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
24,354 对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

¥0.3744 

阶梯数 价格
140: ¥0.3744
200: ¥0.2775
1,500: ¥0.243
2,045 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.222 

阶梯数 价格
1: ¥0.222
25: ¥0.1914
100: ¥0.1649
1,000: ¥0.1421
1,900 对比
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