首页 > 商品目录 > > > > SUD50N04-8M8P-4GE3代替型号比较

SUD50N04-8M8P-4GE3  与  IPD50N04S4-08  区别

型号 SUD50N04-8M8P-4GE3 IPD50N04S4-08
唯样编号 A-SUD50N04-8M8P-4GE3 A-IPD50N04S4-08
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@20A,10V 7.2mΩ
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 46W
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK PG-TO252-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 14A 50A
系列 SUD -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 7,500 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥3.0573
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A

¥3.0573 

阶梯数 价格
2,500: ¥3.0573
7,500 当前型号
IPD50N04S4-10 Infineon 功率MOSFET

IPD50N04S410ATMA1_40V 50A 9.3mΩ N-Channel

暂无价格 0 对比
IPD50N04S408ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4-08_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD50N04S4-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S408ATMA1_40V 50A 7.2mΩ 20V 46W N-Channel PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IPD50N04S410ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4-10_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD486A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 50A 50W 9.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消