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功率MOSFET   ±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A

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制造商编号 SUD50N04-8M8P-4GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SUD50N04-8M8P-4GE3
供货 自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A
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商品目录 功率MOSFET
系列 SUD
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),48.1W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@20A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 14A
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