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STT6N3LLH6  与  DMG6402LVT-7  区别

型号 STT6N3LLH6 DMG6402LVT-7
唯样编号 A-STT6N3LLH6 A-DMG6402LVT-7
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 30mΩ
上升时间 - 6.2ns
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.75W
Qg-栅极电荷 - 11.4nC
栅极电压Vgs - 1.5V
典型关闭延迟时间 - 13.9ns
封装/外壳 SOT TSOT-26
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6A
系列 - DMG6402
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 498pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

暂无价格 0 当前型号
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

¥0.6574 

阶梯数 价格
80: ¥0.6574
200: ¥0.5008
1,500: ¥0.4365
3,000: ¥0.3861
10,837 对比
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,200 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥0.8613 

阶梯数 价格
60: ¥0.8613
200: ¥0.594
5,995 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 对比

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