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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ@5A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 43mΩ | |
| VGS(th) | 2.4 | |
| Ciss(pF) | 255 | |
| Coss(pF) | 45 | |
| Crss(pF) | 35 | |
| Qg*(nC) | 2.55 | |
| Qgd(nC) | 1.3 | |
| Td(on)(ns) | 4.5 | |
| Td(off)(ns) | 14.5 | |
| Trr(ns) | 8.5 | |
| Qrr(nC) | 2.2 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 |
￥1.5385
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2,979 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOT-26 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
TSMT |
￥1.4393
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15,000 | 对比 | |||||||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.4853
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.4853
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 |
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