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STR2P3LLH6  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 STR2P3LLH6 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A-STR2P3LLH6 A36-IRLML9301TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 64mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.6A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 48,827
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.7513 

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70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
48,827 对比

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