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STN3NF06L  与  ZXMN6A09GTA  区别

型号 STN3NF06L ZXMN6A09GTA
唯样编号 A-STN3NF06L A36-ZXMN6A09GTA
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 ZXMN6A09G Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 40mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 7.5A
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 1407pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 24.2nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 10V
库存与单价
库存 0 8,316
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.718
100+ :  ¥2.97
1,000+ :  ¥2.75
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