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STN3NF06L  与  IRLL014NTRPBF  区别

型号 STN3NF06L IRLL014NTRPBF
唯样编号 A-STN3NF06L A-IRLL014NTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 140mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 2.8A
系列 STripFET™ II HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 当前型号
ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A

¥3.63 

阶梯数 价格
20: ¥3.63
100: ¥2.904
1,000: ¥2.772
4,597 对比
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 3.8A(Ta)

¥2.552 

阶梯数 价格
20: ¥2.552
50: ¥1.969
1,000: ¥1.815
3,122 对比
ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.6136
1,000: ¥2.4948
3,000 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
ZXMS6006DGTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥4.477 

阶梯数 价格
20: ¥4.477
100: ¥3.575
1,000: ¥3.432
2,275 对比

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