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STF26NM60N  与  IPA65R150CFD  区别

型号 STF26NM60N IPA65R150CFD
唯样编号 A-STF26NM60N A-IPA65R150CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 135mΩ
上升时间 - 7.6ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) 34.7W
Qg-栅极电荷 - 86nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 52.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A 22.4A
系列 MDmesh™ II CoolMOSCFD2
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
长度 - 10.65mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5.6ns
典型接通延迟时间 - 12.4ns
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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