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STD7NM80  与  IPU50R1K4CE  区别

型号 STD7NM80 IPU50R1K4CE
唯样编号 A-STD7NM80 A-IPU50R1K4CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.38mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.26Ω
上升时间 - 6ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 42W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
连续漏极电流Id - 4.8A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 6.73mm
下降时间 - 30ns
典型接通延迟时间 - 6.5ns
高度 - 6.22mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM80 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A

暂无价格 2,500 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
300: ¥3.7851
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6509
2,150 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
300: ¥3.7851
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6509
1,649 对比
IPU50R1K4CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU50R1K4CEAKMA1_500V 4.8A 1.26Ω 20V 42W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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